IPI057N08N3 G

Výrobca Číslo produktu:

IPI057N08N3 G

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IPI057N08N3 G-DG

Popis:

MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3

Podrobný popis:

N-Channel 80 V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO262-3

Inventár:

Online RFQ

12847383

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

IPI057N08N3 G Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Infineon Technologies

Balenie

-

Seriál

OptiMOS™

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

80 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

80A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

6V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

5.7mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

3.5V @ 90µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

69 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

4750 pF @ 40 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

150W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balík zariadení dodávateľa

PG-TO262-3

Balenie / puzdro

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Základné číslo produktu

IPI057N

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

IPI057N08N3 G-DG

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

500

Iné mená

SP000680662

IPI057N08N3G

IPI057N08N3 G-DG

SP000395182

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

onsemi

FQB5N60CTM-WS

MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK

onsemi

NVMFS5C410NLT1G

MOSFET N-CH 40V 48A/315A 5DFN

onsemi

NTD4810NHT4G

MOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK

infineon-technologies

AUIRFS8407

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK